АЛФЕРОВ Жорес Иванович, депутат Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации, вице-президент Российской академии наук. Награжден
за выдающиеся заслуги в развитии отечественной науки и активное участие в законотворческой деятельности
Основание: Указ Президента Российской Федерации от 14 марта 2005 г. № 286 «О награждении орденом «За заслуги перед Отечеством» I степени Алферова Ж.И.».
*
Выдающийся физик, вице-президент Российской академии наук, лауреат Нобелевской премии по физике, директор Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе РАН (1987–2003), Председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий РАН.
Родился 15 марта 1930 г. в Витебске.
В 1952 г. с отличием окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И.Ульянова (Ленина) по специальности «электровакуумная техника».
С 1953 г. работал в Физико-техническом институте имени А.Ф.Иоффе АН СССР: инженером, младшим, старшим научным сотрудником, заведующим сектором, заведующим отделом.
В 1987–2003 г. – директор Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе АН СССР – РАН.
В 1961 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по исследованию мощных германиевых и кремниевых выпрямителей.
В 1970 г. по результатам исследований гетеропереходов в полупроводниках защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук.
В 1972 г. избран членом-корреспондентом Академии наук СССР.
В 1979 г. избран академиком АН СССР.
С 1989 г. – Председатель Ленинградского – Санкт-Петербургского научного центра АН СССР – РАН.
С 1990 г. – вице-президент АН СССР – РАН.
Автор фундаментальных работ в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, полупроводниковой и квантовой электроники. При его активном участии были созданы первые отечественные транзисторы и мощные германиевые выпрямители. Основоположник нового направления в физике полупроводников и полупроводниковой электронике – полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе. Автор более 500 научных работ, в том числе 4 монографий, более 50 изобретений.
Лауреат Нобелевской премии по физике за 2000 г. за «фундаментальные работы, заложившие основы современных информационных технологий посредством создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в сверхвысокочастотной и оптической электронике» (совместно с Г. Кремером и Д. Килби).
Видный организатор академической науки и образования.
Инициатор создания и ректор Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий РАН, http://edu.ioffe.ru (создан как Научно-образовательный центр Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН в 1997 г. в целях интеграции науки и образования в области физики и информационных технологий).
С 1972 г. по настоящее время – профессор, с 1973 г. по 2004 г. – заведующий базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ныне Санкт-Петербургского электротехнического университета), с 1988 г. по настоящее время – декан физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ныне Санкт-Петербургского государственного технического университета).
Депутат Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации, член комитета по науке и наукоемким технологиям.
Научный руководитель Инновационного центра в Сколково.
Удостоен многочисленных наград, премий и почетных званий. Иностранный академик и почетный доктор многих академий наук, научных обществ и ведущих университетов.
См., в частности, Интернет-портал «Личности Санкт-Петербурга», www.ceo.spb.ru; сайт Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе РАН, www.ioffe.ru; сайт Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий РАН, http://edu.ioffe.ru.